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IPD04N03LBG / Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD04N03LBG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装:3TO-252

通道模式:Enhancement

最大漏源电压:30 V

最大连续漏极电流:50 A

RDS -于:4.3@10V mOhm

最大门源电压:±20 V

典型导通延迟时间:14 ns

典型上升时间:10 ns

典型关闭延迟时间:43 ns

典型下降时间:6 ns

工作温度:-55 to 175 °C

安装:Surface Mount

标准包装:Tape & Reel

供应商IPD04N03LBG
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IPD04N03LBGOptiMOS®2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO417.75 Kbytes共12页IPD04N03LBG的PDF下载地址IPB05N03LB,IPD09N03LBG,IPP10N03LB,IPUH6N03LB,BSC020N025SG,IPB06N03LAG,IPD10N03LAG,IPP11N03LA,BSC024N025S,IPB06N03LB
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