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IPD034N06N3G / MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
IPD034N06N3G的规格信息
IPD034N06N3G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:100 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:3.4 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:167 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:16 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:161 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:2500

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:63 ns

典型接通延迟时间:38 ns

零件号别名:IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GXT SP000451070

供应商IPD034N06N3G
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深圳市芯幂科技有限公司IPD034N06N3G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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Digi-Key 得捷电子		IPD034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 100A TO252-3$1.78000
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立创商城		IPD034N06N3GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 93uA 漏源导通电阻：3.4mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：167W 类型：N沟道1+:￥6.15
10+:￥4.61
30+:￥4.33
100+:￥3.8475
500+:￥3.7335
1000+:￥3.6765
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