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IPD031N06L3G / MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
IPD031N06L3G的规格信息
IPD031N06L3G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:100 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:3.1 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V

Qg-栅极电荷:79 nC

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:167 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:13 ns

正向跨导 - 最小值:165 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:78 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:2500

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:64 ns

典型接通延迟时间:25 ns

零件号别名:IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GXT SP000451076

供应商IPD031N06L3G
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