| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Arrow(艾睿) | IPB70N04S4-06 | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 1000+:¥3.391+:¥7.16 10+:¥5.76 100+:¥4.42 500+:¥3.91 1000+:¥3.3499 2000+:¥3.07 10000+:¥2.9901 25000+:¥2.9 50000+:¥2. |
 Avnet Express | IPB70N04S4-06 | Infineon Technologies Americas Inc. | SP000711476_MOSFET | 1,000 : $0.5938
|
 Digi-Key 得捷电子 | IPB70N04S4-06 | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 1000+:¥3.39 |
 Digi-Key 得捷电子 | IPB70N04S4-06 | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2 | 1,000 : $0.46575
|
 Mouser 贸泽电子 | IPB70N04S4-06 | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 1000+:¥3.391+:¥7.16 10+:¥5.76 100+:¥4.42 500+:¥3.91 1000+:¥3.3499 2000+:¥3.07 10000+:¥2.9901 25000+:¥2.9 50000+:¥2.8401 |
 Mouser 贸泽电子 | IPB70N04S4-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | 1:¥9.2208 10:¥7.91 100:¥6.0907 500:¥5.3788 1,000:¥4.2488
|
 立创商城 | IPB70N04S4-06 | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 26uA 漏源导通电阻:6.5mΩ@ 70A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):58W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥9.2 200+:¥3.56 500+:¥3.44 1000+:¥3.38
|