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IPB70N04S4-06 /MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB70N04S4-06的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:70 A

Rds On-漏源导通电阻:5.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:32 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:58 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS-T2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:7 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:IPB70N04S406ATMA1 IPB7N4S46XT SP000711476

单位重量:4 g

供应商IPB70N04S4-06
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深圳市百视威讯电子科技有限公司IPB70N04S4-06华强广场C座18J0755-27381274
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18938047708/18938048779
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13352985419,19076157484
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IPB70N04S4-06InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1000+:¥3.391+:¥7.16
10+:¥5.76
100+:¥4.42
500+:¥3.91
1000+:¥3.3499
2000+:¥3.07
10000+:¥2.9901
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IPB70N04S4-06Infineon Technologies Americas Inc.SP000711476_MOSFET1,000 : $0.5938
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IPB70N04S4-06Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-21,000 : $0.46575
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50000+:¥2.8401
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Mouser 贸泽电子
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IPB70N04S4-06Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 26uA 漏源导通电阻:6.5mΩ@ 70A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):58W(Tc) 类型:N沟道1+:¥9.2
200+:¥3.56
500+:¥3.44
1000+:¥3.38