| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Arrow(艾睿) | IPB65R660CFD | Infineon | FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET | 1000+:¥5.43 2000+:¥5.05 5000+:¥4.87 10000+:¥4.6899 25000+:¥4.61 50000+:¥4.491+:¥9.19 10+:¥7.42 100+:¥5.97 500+:¥5.97 1000+:¥5.55 2000+:¥5.1 5000+:¥5.04 10000+:¥4.85 25000+:¥4.811+:¥13.79 25+:¥12.75 100+:¥9.89 500+:¥7.6899 1000+:¥6.95 3000+:¥5.791+:¥5.23 25+:¥5.1801 50+:¥5.13 100+:¥5.09 300+:¥5 500+:¥4.95 1000+:¥4.9 5000+:¥4.88 |
 Avnet Express | IPB65R660CFD | Infineon Technologies Americas Inc. | - Tape and Reel | 1,000 : $0.8408
|
 Digi-Key 得捷电子 | IPB65R660CFD | Infineon | FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET | 1000+:¥5.43 2000+:¥5.05 5000+:¥4.87 10000+:¥4.6899 25000+:¥4.61 50000+:¥4.49 |
 Digi-Key 得捷电子 | IPB65R660CFD | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 650V 6A TO263 | 5,000 : $0.6695 2,000 : $0.69525 1,000 : $0.74675
|
 Digi-Key 得捷电子 | IPB65R660CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK | $0.64000 |
 element14 e络盟电子 | IPB65R660CFD | Infineon | FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET | 1000+:¥5.43 2000+:¥5.05 5000+:¥4.87 10000+:¥4.6899 25000+:¥4.61 50000+:¥4.491+:¥9.19 10+:¥7.42 100+:¥5.97 500+:¥5.97 1000+:¥5.55 2000+:¥5.1 5000+:¥5.04 10000+:¥4.85 25000+:¥4.811+:¥13.79 25+:¥12.75 100+:¥9.89 500+:¥7.6899 1000+:¥6.95 3000+:¥5.79 |
 Mouser 贸泽电子 | IPB65R660CFD | Infineon | FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET | 1000+:¥5.43 2000+:¥5.05 5000+:¥4.87 10000+:¥4.6899 25000+:¥4.61 50000+:¥4.491+:¥9.19 10+:¥7.42 100+:¥5.97 500+:¥5.97 1000+:¥5.55 2000+:¥5.1 5000+:¥5.04 10000+:¥4.85 25000+:¥4.81 |
 Mouser 贸泽电子 | IPB65R660CFDA | Infineon / IR | MOSFET N-Ch 650V 6A D2PAK-2 | 1:¥16.0573 10:¥13.6052 100:¥10.9158 500:¥9.5259 1,000:¥7.91
|
 Mouser 贸泽电子 | IPB65R660CFDAATMA1 | Infineon / IR | MOSFET N-Ch 650V 6A D2PAK-2 | 1:¥16.0573 10:¥13.6052 100:¥10.9158 500:¥9.5259 1,000:¥7.91
|
 Rochester Electronics | IPB65R660CFD | Infineon Technologies AG | REF: SP000861698 | 500 : $0.84 1,000 : $0.8
|
 Rutronik | IPB65R660CFD | Infineon Technologies AG | N-CH 650V 6A 660mOhm TO263-3 RoHSconf | 价格未公开 |
 立创商城 | IPB65R660CFDA | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 200uA 漏源导通电阻:660mΩ @ 3.2A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):62.5W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥17.18 200+:¥6.65 500+:¥6.42 1000+:¥6.3
|