不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1100pF @ 100V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：104.2W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：310 毫欧 @ 4.4A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-TO263-3

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11.4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 400µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：41nC @ 10V

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：11.4A

Rds On-漏源导通电阻：280mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：3.5V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：41nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：104.2W

通道模式：Enhancement

商标名：CoolMOS

封装：CutTape

高度：4.4mm

长度：10mm

系列：CoolMOSCFD2

晶体管类型：1N-Channel

宽度：9.25mm

下降时间：7ns

上升时间：7.5ns

典型关闭延迟时间：45ns

典型接通延迟时间：11ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs