封装/外壳：PG-TO263-3

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：650V

Id-连续漏极电流：10.6A

Rds On-漏源导通电阻：380mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：39nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：83W

高度：4.4mm

长度：10mm

系列：CoolMOSC6

晶体管类型：1N-Channel

宽度：9.25mm

下降时间：11ns

上升时间：12ns

典型关闭延迟时间：110nS

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：380.0mΩ

IDpuls max：29.0A

VDS max：650.0V

ID max：10.6A

Package：D2PAK (TO-263)

Rth：1.5K/W

QG：39.0nC

Budgetary Price €€/1k：0.69

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：83.0W

Polarity：N

RthJA max：62.0K/W

VGS(th) min max：2.5V 3.5V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs