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IPB65R280C6的规格信息
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封装/外壳：PG-TO263-3

RoHS：Y

技术：Si

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：650V

Id-连续漏极电流：13.8A

Rds On-漏源导通电阻：250mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.5V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：45nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：104W

通道模式：Enhancement

封装：CutTape

高度：4.4mm

长度：10mm

系列：CoolMOSC6

晶体管类型：1N-Channel

宽度：9.25mm

下降时间：12ns

MXHTS：85412999

上升时间：11ns

典型关闭延迟时间：105ns

典型接通延迟时间：13ns

商标名：CoolMOS

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商IPB65R280C6
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深圳市天卓伟业电子有限公司IPB65R280C6深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB65R280C6深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市安富世纪电子有限公司IPB65R280C6深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市威雅利发展有限公司IPB65R280C6华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IPB65R280C6ATMA1深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市仓实科技有限公司IPB65R280C6ATMA1深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司IPB65R280C6ATMA1深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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Digi-Key 得捷电子		IPB65R280C6InfineonFET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor1000+:￥8.97
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500+:￥8.1999
1000+:￥8.12
5000+:￥8.08
元器件资料网-Rochester Electronics的LOGO
Rochester Electronics		IPB65R280C6Infineon Technologies AGREF: SP000745030500 : $1.39
1,000 : $1.33
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Rutronik		IPB65R280C6Infineon Technologies AGN-CH 650V 14A 280mOhm TO263-3 RoHSconf价格未公开
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