HSW8810
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道
HSW8810的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻20mΩ @ 4A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W
类型双N沟道
HSW8810
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HSW8810 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 587.63 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSW8810的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSW8810 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道 | 5+:¥0.473647 50+:¥0.348697 150+:¥0.325747 500+:¥0.302797 2500+:¥0.292597 5000+:¥0.287557
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