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HSW8810 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道
HSW8810的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A

栅源极阈值电压1.2V @ 250uA

漏源导通电阻20mΩ @ 4A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W

类型双N沟道

供应商HSW8810
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HSW8810连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO587.63 Kbytes共5页HSW8810的PDF下载地址
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HSW8810HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道5+:¥0.473647
50+:¥0.348697
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