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HSW8205 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.6A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：双N沟道

HSW8205的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）-20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.6A

栅源极阈值电压1.5V @ 250uA

漏源导通电阻28mΩ @ 4.3A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）1.25W

类型双N沟道

HSW8205

HSW8205的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	HSW8205	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	HSW8205	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
集好芯城	HSW8205	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	HSW8205	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	HSW8205	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市佳威星科技有限公司	HSW8205	深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C	0755-83045910 13724343501	胡小姐	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
HSW8205	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.6A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：双N沟道	HUASHUO(华朔)		1.77 Mbytes	共4页		无

HSW8205的全球分销商及价格

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立创商城	HSW8205	HUASHUO(华朔)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.6A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：双N沟道	10+:￥0.259459 100+:￥0.189537 300+:￥0.176694 1000+:￥0.163851 5000+:￥0.158143 10000+:￥0.155322

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