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HSU100P03 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):105W 类型:P沟道
HSU100P03的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)100A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻5.3mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)105W

类型P沟道

供应商HSU100P03
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HSU100P03连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):105W 类型:P沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO1.52 Mbytes共5页HSU100P03的PDF下载地址
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HSU100P03HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):105W 类型:P沟道1+:¥2.36
10+:¥1.76
30+:¥1.65
100+:¥1.54
500+:¥1.49
1000+:¥1.47