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HSU0026 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):62.5W 类型:N沟道
HSU0026的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)40A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻22mΩ @ 9A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)62.5W

类型N沟道

供应商HSU0026
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HSU0026连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):62.5W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO704.98 Kbytes共5页HSU0026的PDF下载地址
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HSU0026HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):62.5W 类型:N沟道1+:¥2.45
10+:¥1.8
30+:¥1.68
100+:¥1.57
500+:¥1.51
1000+:¥1.49