HSS3N10
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：N沟道
HSS3N10的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）3A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻140mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.2W
类型N沟道
HSS3N10
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| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| HSS3N10 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 439.50 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSS3N10的全球分销商及价格
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立创商城 | HSS3N10 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：N沟道 | 10+:￥0.3614
100+:￥0.271436
300+:￥0.254912
1000+:￥0.238388
5000+:￥0.231044
10000+:￥0.227416
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