HSS3415E
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:0.9V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道
HSS3415E的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.3A
栅源极阈值电压0.9V @ 250uA
漏源导通电阻45mΩ @ 3.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W
类型P沟道
HSS3415E
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HSS3415E | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:0.9V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 2.15 Mbytes | 共5页 |  | 无 |
HSS3415E的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSS3415E | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:0.9V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道 | 10+:¥0.278189 100+:¥0.203219 300+:¥0.189449 1000+:¥0.175679 5000+:¥0.169559 10000+:¥0.166535
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