HSS2P10
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:320mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道
HSS2P10的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻320mΩ @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W
类型P沟道
HSS2P10
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HSS2P10 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:320mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 400.97 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSS2P10的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSS2P10 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:320mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 | 5+:¥0.7579 50+:¥0.558 150+:¥0.5212 500+:¥0.4845 2500+:¥0.4682 5000+:¥0.4601
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