HSS2301B
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道
HSS2301B的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）3A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻100mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）1W
类型P沟道
HSS2301B
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| HSS2301B | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 482.62 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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立创商城 | HSS2301B | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 | 20+:￥0.133531
200+:￥0.097545
600+:￥0.090936
2000+:￥0.084326
10000+:￥0.081388
20000+:￥0.079937
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