HSS2N7002K
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):0.3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 0.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道
HSS2N7002K的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)0.3A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻2Ω @ 0.2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)350mW
类型N沟道
HSS2N7002K
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HSS2N7002K | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):0.3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 0.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 1.87 Mbytes | 共5页 |  | 无 |
HSS2N7002K的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSS2N7002K | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):0.3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 0.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 | 50+:¥0.079748 500+:¥0.058256 1500+:¥0.054309 5000+:¥0.050362 25000+:¥0.048607 50000+:¥0.04774
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