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HSS3416E /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道
HSS3416E的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻25mΩ @ 4A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1W

类型N沟道

供应商HSS3416E
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集好芯城HSS3416E深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市芯幂科技有限公司HSS3416E深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司HSS3416E深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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万三科技(深圳)有限公司HSS3416E深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516,18818598465
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HSS3416E连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO500.75 Kbytes共5页HSS3416E的PDF下载地址
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HSS3416EHUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道10+:¥0.287461
100+:¥0.209992
300+:¥0.195763
1000+:¥0.181534
5000+:¥0.17521
10000+:¥0.172086