HSS3416E
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道
HSS3416E的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻25mΩ @ 4A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1W
类型N沟道
HSS3416E
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HSS3416E | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 500.75 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSS3416E的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSS3416E | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道 | 10+:¥0.287461 100+:¥0.209992 300+:¥0.195763 1000+:¥0.181534 5000+:¥0.17521 10000+:¥0.172086
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