HSS3416E
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道
HSS3416E的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）6A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻25mΩ @ 4A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）1W
类型N沟道
HSS3416E
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| HSS3416E | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 500.75 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSS3416E的全球分销商及价格
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立创商城 | HSS3416E | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 | 10+:￥0.287461
100+:￥0.209992
300+:￥0.195763
1000+:￥0.181534
5000+:￥0.17521
10000+:￥0.172086
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