HSCC8233
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:7.2mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:双N沟道(共漏)
HSCC8233的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)11A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻7.2mΩ @ 5.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.56W
类型双N沟道(共漏)
HSCC8233
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HSCC8233 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:7.2mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:双N沟道(共漏) | HUASHUO(华朔) |  | 670.23 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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