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HSCB2307 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：P沟道

HSCB2307的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）8A

栅源极阈值电压1.2V @ 250uA

漏源导通电阻18mΩ @ 8A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）2.2W

类型P沟道

HSCB2307

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HSCB2307	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：P沟道	HUASHUO(华朔)		1.10 Mbytes	共5页		无

HSCB2307的全球分销商及价格

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立创商城	HSCB2307	HUASHUO(华朔)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：P沟道	5+:￥0.606268 50+:￥0.446332 150+:￥0.416956 500+:￥0.38758 2500+:￥0.374524 5000+:￥0.368073

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