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商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)8A
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻18mΩ @ 8A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.2W
类型P沟道