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HSCB2307 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.2W 类型:P沟道
HSCB2307的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)8A

栅源极阈值电压1.2V @ 250uA

漏源导通电阻18mΩ @ 8A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.2W

类型P沟道

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HSCB2307连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.2W 类型:P沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO1.10 Mbytes共5页HSCB2307的PDF下载地址
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HSCB2307HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.2W 类型:P沟道5+:¥0.606268
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