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HSCB2012 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 12A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.3W 类型：N沟道

HSCB2012的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A

栅源极阈值电压900mV @ 250uA

漏源导通电阻15mΩ @ 12A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）3.3W

类型N沟道

HSCB2012

HSCB2012的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
集好芯城	HSCB2012	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	HSCB2012	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	HSCB2012	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	HSCB2012	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市莱杰信科技有限公司	HSCB2012	深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號	0755-28183929 18207603663,18718561290	吴小姐，曹先生	询价
深圳市水星电子有限公司	HSCB2012	地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B	0755-89585609 13632880560	李	询价

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HSCB2012	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 12A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.3W 类型：N沟道	HUASHUO(华朔)		1.22 Mbytes	共5页		无

HSCB2012的全球分销商及价格

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立创商城	HSCB2012	HUASHUO(华朔)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 12A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.3W 类型：N沟道	5+:￥0.397864 50+:￥0.292906 150+:￥0.273628 500+:￥0.25435 2500+:￥0.245782 5000+:￥0.241548

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