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HSCB2012 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 12A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.3W 类型:N沟道
HSCB2012的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A

栅源极阈值电压900mV @ 250uA

漏源导通电阻15mΩ @ 12A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)3.3W

类型N沟道

供应商HSCB2012
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HSCB2012连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 12A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.3W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO1.22 Mbytes共5页HSCB2012的PDF下载地址
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HSCB2012HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 12A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.3W 类型:N沟道5+:¥0.397864
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