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HSCC2734 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:双N沟道(共漏)
HSCC2734的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)8A

栅源极阈值电压1.2V @ 250uA

漏源导通电阻16mΩ @ 2A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.56W

类型双N沟道(共漏)

供应商HSCC2734
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HSCC2734连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:双N沟道(共漏)HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO785.33 Kbytes共5页HSCC2734的PDF下载地址
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HSCC2734HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:双N沟道(共漏)5+:¥0.700998
50+:¥0.516072
150+:¥0.482106
500+:¥0.44814
2500+:¥0.433044
5000+:¥0.425584