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HSCB3010 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):6.2W 类型:N沟道
HSCB3010的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)20A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻10mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)6.2W

类型N沟道

供应商HSCB3010
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HSCB3010连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):6.2W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO466.28 Kbytes共5页HSCB3010的PDF下载地址
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HSCB3010HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):6.2W 类型:N沟道5+:¥0.663106
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