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HSCC8211 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：双N沟道（共漏）

HSCC8211的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）-20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）8A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻13mΩ @ 2A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）1.56W

类型双N沟道（共漏）

HSCC8211

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芯莱德电子（香港）有限公司	HSCC8211	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	HSCC8211	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	HSCC8211	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	HSCC8211	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
集好芯城	HSCC8211	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
盛信伟业（深圳）科技有限公司	HSCC8211	深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场3310A	19926488141 19926488141	赵伟滨	询价

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HSCC8211	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：双N沟道（共漏）	HUASHUO(华朔)		794.24 Kbytes	共5页		无

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立创商城	HSCC8211	HUASHUO(华朔)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：双N沟道（共漏）	1+:￥0.7863 10+:￥0.5789 30+:￥0.5408 100+:￥0.5027 500+:￥0.4858 1000+:￥0.4774

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