GS66516B-E01-MR
/MOSFET 650V, 60A E-Mode GaN
GS66516B-E01-MR的规格信息
制造商:GaN Systems
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:GaN
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:GaNPX-5
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:60 A
Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压:7 V
Qg-栅极电荷:12 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:-
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:0.54 mm
长度:11 mm
产品:MOSFET
系列:GS66516x
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:9 mm
商标:GaN Systems
下降时间:22 ns
湿度敏感性:Yes
产品类型:MOSFET
上升时间:12.4 ns
工厂包装数量:250
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:14.9 ns
典型接通延迟时间:4.6 ns
零件号别名:GS66516B-E01-MR
GS66516B-E01-MR
GS66516B-E01-MR及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| GS66516B-E01-MR | MOSFET 650V, 60A E-Mode GaN | GaN Systems |  | 941.98 Kbytes | 共16页 |  | 无 |
GS66516B-E01-MR的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Mouser 贸泽电子 | GS66516B-E01-MR | GaN Systems | MOSFET 650V, 60A E-Mode GaN | 1:¥331.4855
10:¥320.7279
25:¥305.9814
250:¥284.2289
|