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GS61008T-E01-MR /MOSFET 100V 90A E-Mode GaN
GS61008T-E01-MR的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:GaN Systems

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:GaN

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:GaNPX-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:90 A

Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:7 V

Qg-栅极电荷:12 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.51 mm

长度:4.6 mm

产品:MOSFET

系列:GS6100x

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:GaN Systems

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:250

子类别:MOSFETs

零件号别名:GS61008T-E01-MR

供应商GS61008T-E01-MR
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GS61008T-E01-MRGaN SystemsMOSFET 100V 90A E-Mode GaN1:¥58.3984
10:¥56.8616
25:¥55.3248
250:¥52.6354
1,000:¥51.1777