图像仅供参考，请参阅规格书
制造商:GaN Systems
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:GaN
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:GaNPX-4
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:30 A
Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压:7 V
Qg-栅极电荷:5.8 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:0.51 mm
长度:10 mm
产品:MOSFET
系列:GS6650x
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:8.7 mm
商标:GaN Systems
湿度敏感性:Yes
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:250
子类别:MOSFETs
零件号别名:GS66508P-E05-MR