制造商:GaN Systems

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:GaN

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:GaNPX-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:7 V

Qg-栅极电荷:5.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:-

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.51 mm

长度:8.8 mm

产品:MOSFET

系列:GS6650x

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:7 mm

商标:GaN Systems

下降时间:5.2 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:3.7 ns

工厂包装数量:250

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:4.1 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:GS66508B-E01-MR