GS66502B-E01-MR
/MOSFET 650V Enhancement Mode Transistor
GS66502B-E01-MR的规格信息
制造商:GaN Systems
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:GaN
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:GaNPX-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:7.5 A
Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压:7 V
Qg-栅极电荷:1.5 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:0.51 mm
长度:6.6 mm
产品:MOSFET
系列:GS6650x
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:5 mm
商标:GaN Systems
湿度敏感性:Yes
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:250
子类别:MOSFETs
零件号别名:GS66502B-E01-MR
GS66502B-E01-MR
GS66502B-E01-MR及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| GS66502B-E01-MR | MOSFET 650V Enhancement Mode Transistor | GaN Systems |  | 1.57 Mbytes | 共14页 |  | 无 |
GS66502B-E01-MR的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Mouser 贸泽电子 | GS66502B-E01-MR | GaN Systems | MOSFET 650V Enhancement Mode Transistor | 1:¥71.8454
10:¥69.5402
25:¥66.3084
250:¥61.472
1,000:¥59.777
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