制造商:GaN Systems

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:GaN

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:GaNPX-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:22.5 A

Rds On-漏源导通电阻:67 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:7 V

Qg-栅极电荷:4.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.54 mm

长度:5.5 mm

产品:MOSFET

系列:GS6650x

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:GaN Systems

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:250

子类别:MOSFETs

零件号别名:GS66506T-E01-MR