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FQB4N80TM /MOSFET 800V N-Channel QFET
FQB4N80TM的规格信息
FQB4N80TM的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:3.9 A

Rds On-漏源导通电阻:3.6 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.13 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:FQB4N80

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:3.8 S

下降时间:35 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:45 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:16 ns

单位重量:1.312 g

供应商FQB4N80TM
FQB4N80TM的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城（深圳）科技有限公司FQB4N80TMwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FQB4N80TM深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQB4N80TM深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司FQB4N80TM航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城FQB4N80TM深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司FQB4N80TM深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城FQB4N80TM深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQB4N80TM深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司FQB4N80TM深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司FQB4N80TM深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司FQB4N80TM深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司FQB4N80TM深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市赛美科科技有限公司FQB4N80TM广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市高捷半导体有限公司FQB4N80TM深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FQB4N80TM深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市雄创芯业电子科技有限公司FQB4N80TM深圳市龙岗区吉星花园7栋30613631670223徐小姐Email:13631670223@139.com询价
深圳市百域芯科技有限公司FQB4N80TM世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司FQB4N80TM深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司FQB4N80TM上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司FQB4N80TM深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
FQB4N80TM及相关型号的PDF资料
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FQB4N80TMN-Channel QFET® MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 Ω FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO801.37 Kbytes共9页FQB4N80TM的PDF下载地址无
FQB4N80TMN-Channel QFET MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO9603.7 Kbytes共9页FQB4N80TM的PDF下载地址无
FQB4N80TM的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FQB4N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:￥5.6701
1600+:￥5.13
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FQB4N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:￥5.6701
1600+:￥5.13
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQB4N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:￥5.6701
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQB4N80TMFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3$0.71000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQB4N80TMON SemiconductorMOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK$1.65000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		FQB4N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:￥5.6701
1600+:￥5.13
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FQB4N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:￥5.6701
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100+:￥5.8599
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2400+:￥4.65
9600+:￥4.53
24800+:￥4.43
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FQB4N80TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.2264
500:¥7.2659
800:¥5.7404
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		FQB4N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:￥5.6701
1600+:￥5.13
2400+:￥4.78
5600+:￥4.55
20000+:￥4.38
40000+:￥4.24
80000+:￥4.111+:￥9.5201
10+:￥7.36
100+:￥5.8599
500+:￥5.34
800+:￥5.06
2400+:￥4.65
9600+:￥4.53
24800+:￥4.43
49600+:￥4.461+:￥20.11
10+:￥16.02
25+:￥16.02800+:￥4.09
1600+:￥3.8599
2400+:￥3.641+:￥4.141+:￥3.741+:￥5.64
25+:￥5.58
50+:￥5.54
100+:￥5.49
300+:￥5.39
500+:￥5.34
1000+:￥5.28
5000+:￥5.26
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FQB4N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:￥5.6701
1600+:￥5.13
2400+:￥4.78
5600+:￥4.55
20000+:￥4.38
40000+:￥4.24
80000+:￥4.111+:￥9.5201
10+:￥7.36
100+:￥5.8599
500+:￥5.34
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25+:￥16.02800+:￥4.09
1600+:￥3.8599
2400+:￥3.641+:￥4.141+:￥3.74
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		FQB4N80TMON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.6Ω @ 1.95A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.13W 类型：N沟道1+:￥16.74
10+:￥12.32
30+:￥11.51
100+:￥10.7
500+:￥10.34
1000+:￥10.16
FQB4N80TM的相关型号
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