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FQB4N80TM /MOSFET 800V N-Channel QFET
FQB4N80TM的规格信息
FQB4N80TM的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:3.9 A

Rds On-漏源导通电阻:3.6 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.13 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:FQB4N80

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:3.8 S

下降时间:35 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:45 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:16 ns

单位重量:1.312 g

供应商FQB4N80TM
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深圳市佳威星科技有限公司FQB4N80TM深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501
胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FQB4N80TM深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司FQB4N80TM航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司FQB4N80TM深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司FQB4N80TM深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司FQB4N80TM深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城FQB4N80TM深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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13352985419
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深圳市凯睿晟科技有限公司FQB4N80TM世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市辉华拓展电子有限公司FQB4N80TM深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市仓实科技有限公司FQB4N80TM深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FQB4N80TM深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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FQB4N80TM及相关型号的PDF资料
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FQB4N80TMN-Channel QFET® MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 Ω FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO801.37 Kbytes共9页FQB4N80TM的PDF下载地址
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FQB4N80TM的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
FQB4N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:¥5.6701
1600+:¥5.13
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ChipOneStop
FQB4N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:¥5.6701
1600+:¥5.13
2400+:¥4.78
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Digi-Key 得捷电子
FQB4N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:¥5.6701
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Digi-Key 得捷电子
FQB4N80TMFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3$0.71000
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Digi-Key 得捷电子
FQB4N80TMON SemiconductorMOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK$1.65000
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element14 e络盟电子
FQB4N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:¥5.6701
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Mouser 贸泽电子
FQB4N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:¥5.6701
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
FQB4N80TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.2264
500:¥7.2659
800:¥5.7404
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester
FQB4N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:¥5.6701
1600+:¥5.13
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10+:¥7.36
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25+:¥16.02800+:¥4.09
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2400+:¥3.641+:¥4.141+:¥3.741+:¥5.64
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100+:¥5.49
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1000+:¥5.28
5000+:¥5.26
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
FQB4N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET800+:¥5.6701
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2400+:¥3.641+:¥4.141+:¥3.74
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立创商城
FQB4N80TMON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.9A 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6Ω @ 1.95A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.13W 类型:N沟道1+:¥16.74
10+:¥12.32
30+:¥11.51
100+:¥10.7
500+:¥10.34
1000+:¥10.16