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FQB44N10TM /MOSFET 100V N-Channel QFET
FQB44N10TM的规格信息
FQB44N10TM的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:43.5 A

Rds On-漏源导通电阻:39 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3.75 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:FQB44N10

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:30 S

下降时间:100 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:190 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:90 ns

典型接通延迟时间:19 ns

零件号别名:FQB44N10TM_NL

单位重量:1.300 g

供应商FQB44N10TM
FQB44N10TM的供应商,可免费索样
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深圳市万政电子有限公司FQB44N10TM深圳市宝安西乡兴业路互联网创意园C栋20618948794636
18948794636
欧阳先生Email:3146805220@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FQB44N10TM深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市佳威星科技有限公司FQB44N10TM深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501
胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司FQB44N10TM深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳德泰威尔科技有限公司FQB44N10TM上步工业区405栋30815766460736
15766460736
小林Email:346259228@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司FQB44N10TM航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城FQB44N10TM深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQB44N10TM深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司FQB44N10TM世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734
梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城FQB44N10TM深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司FQB44N10TM龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司FQB44N10TM深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司FQB44N10TM深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQB44N10TM深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83289799
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳诚思涵科技有限公司FQB44N10TM深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671
曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司FQB44N10TM深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司FQB44N10TM深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市博浩通科技有限公司FQB44N10TM华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司FQB44N10TM深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司FQB44N10TM深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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谢先生Email:2851989182@qq.com询价
FQB44N10TM及相关型号的PDF资料
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FQB44N10TMMOSFET 100V N-Channel QFETON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO894.67 Kbytes共11页FQB44N10TM的PDF下载地址
FQB44N10TMMOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAKON SemiconductorON Semiconductor的LOGO897.81 Kbytes共10页FQB44N10TM的PDF下载地址
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FQB44N10TM连续漏极电流(Id)(25°C 时):43.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:39mΩ @ 21.75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):146W(Tc) 类型:N沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO893.24 Kbytes共10页FQB44N10TM的PDF下载地址
FQB44N10TM的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Arrow(艾睿)
FQB44N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET800+:¥5.67011+:¥9.5201
10+:¥7.36
100+:¥5.8599
500+:¥5.34
800+:¥5.06
2400+:¥4.65
9600+:¥4.53
24800+:¥4.43
49600+:¥4.46800+:¥6.72
1600+:¥5.36
2400+:¥4.9725+:¥10.5399
100+:¥8.58
250+:¥8.43
500+:¥7.81+:¥4.87
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop
FQB44N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET800+:¥5.67011+:¥9.5201
10+:¥7.36
100+:¥5.8599
500+:¥5.34
800+:¥5.06
2400+:¥4.65
9600+:¥4.53
24800+:¥4.43
49600+:¥4.46800+:¥6.72
1600+:¥5.36
2400+:¥4.97
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Digi-Key 得捷电子
FQB44N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET800+:¥5.6701
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
FQB44N10TMON SemiconductorMOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK$1.77000
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Mouser 贸泽电子
FQB44N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET800+:¥5.67011+:¥9.5201
10+:¥7.36
100+:¥5.8599
500+:¥5.34
800+:¥5.06
2400+:¥4.65
9600+:¥4.53
24800+:¥4.43
49600+:¥4.46
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
FQB44N10TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel QFET1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.5315
500:¥7.4919
800:¥6.2037
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester
FQB44N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET800+:¥5.67011+:¥9.5201
10+:¥7.36
100+:¥5.8599
500+:¥5.34
800+:¥5.06
2400+:¥4.65
9600+:¥4.53
24800+:¥4.43
49600+:¥4.46800+:¥6.72
1600+:¥5.36
2400+:¥4.9725+:¥10.5399
100+:¥8.58
250+:¥8.43
500+:¥7.81+:¥4.871+:¥4.731+:¥5.64
25+:¥5.58
50+:¥5.54
100+:¥5.49
300+:¥5.39
500+:¥5.34
1000+:¥5.28
5000+:¥5.26
元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)
FQB44N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET800+:¥5.67011+:¥9.5201
10+:¥7.36
100+:¥5.8599
500+:¥5.34
800+:¥5.06
2400+:¥4.65
9600+:¥4.53
24800+:¥4.43
49600+:¥4.46800+:¥6.72
1600+:¥5.36
2400+:¥4.9725+:¥10.5399
100+:¥8.58
250+:¥8.43
500+:¥7.8
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
FQB44N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET800+:¥5.67011+:¥9.5201
10+:¥7.36
100+:¥5.8599
500+:¥5.34
800+:¥5.06
2400+:¥4.65
9600+:¥4.53
24800+:¥4.43
49600+:¥4.46800+:¥6.72
1600+:¥5.36
2400+:¥4.9725+:¥10.5399
100+:¥8.58
250+:¥8.43
500+:¥7.81+:¥4.871+:¥4.73
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
FQB44N10TMON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):43.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:39mΩ @ 21.75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):146W(Tc) 类型:N沟道1+:¥4.902
10+:¥3.558
30+:¥3.312
100+:¥3.066
500+:¥2.958
1000+:¥2.904