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FQB47P06TM_AM002 /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
FQB47P06TM_AM002的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing

标准包装:800

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:QFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):47A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):26 毫欧 @ 23.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):110nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3600pF @ 25V

功率 - 最大值:3.75W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:TO-263-2

其它名称:FQB47P06TM_AM002-NDFQB47P06TM_AM002TRFQB47P06TMAM002

供应商FQB47P06TM_AM002
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现代芯城(深圳)科技有限公司FQB47P06TM-AM002www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FQB47P06TM_AM002深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司FQB47P06TM_AM002深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳德泰威尔科技有限公司FQB47P06TM-AM002上步工业区405栋30815766460736
15766460736
小林Email:346259228@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司FQB47P06TM_AM002航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城FQB47P06TM-AM002深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQB47P06TM-AM002深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司FQB47P06TM-AM002世纪汇都会轩45070755-82788062
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梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城FQB47P06TM-AM002深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
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芯莱德电子(香港)有限公司FQB47P06TM_AM002深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司FQB47P06TM-AM002深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
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19854773352
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深圳市博浩通科技有限公司FQB47P06TM-AM002华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司FQB47P06TM_AM002深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市橙椒科技有限公司FQB47P06TM-AM002深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1016号宝华大厦A座、B座B座51113418830030,13418730030
13418830030,13418730030
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深圳市星宇佳科技有限公司FQB47P06TM-AM002深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司FQB47P06TM-AM002深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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FQB47P06TM_AM002Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/Ronsemionsemi的LOGO1.24 Mbytes共9页FQB47P06TM_AM002的PDF下载地址
FQB47P06TM-AM002MOSFET 60V P-Channel QFETON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO1.33 Mbytes共11页FQB47P06TM-AM002的PDF下载地址
FQB47P06TM-AM002MOSFET P-CH 60V 47A D2PAKON SemiconductorON Semiconductor的LOGO1.24 Mbytes共9页FQB47P06TM-AM002的PDF下载地址
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FQB47P06TM-AM002连续漏极电流(Id)(25°C 时):47A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 23.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.75W 类型:P沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO1.11 Mbytes共8页FQB47P06TM-AM002的PDF下载地址
FQB47P06TM_AM002的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
FQB47P06TM_AM002Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V P-Channel QFET800+:¥8.6901
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop
FQB47P06TM_AM002Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V P-Channel QFET800+:¥8.6901
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Digi-Key 得捷电子
FQB47P06TM_AM002Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V P-Channel QFET800+:¥8.6901
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Digi-Key 得捷电子
FQB47P06TM-AM002ON SemiconductorMOSFET P-CH 60V 47A D2PAK$3.02000
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element14 e络盟电子
FQB47P06TM_AM002Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V P-Channel QFET800+:¥8.6901
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Future(富昌)
FQB47P06TM_AM002Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V P-Channel QFET800+:¥8.6901
1600+:¥7.98
2400+:¥7.43
5600+:¥7.15
20000+:¥6.88
40000+:¥6.76
80000+:¥6.61+:¥13.58
10+:¥10.93
100+:¥8.78
500+:¥8.78
800+:¥8.14
2400+:¥7.4
9600+:¥7.12
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10+:¥10.66
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Mouser 贸泽电子
FQB47P06TM_AM002Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V P-Channel QFET800+:¥8.6901
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
FQB47P06TM-AM002ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V P-Channel QFET1:¥18.2156
10:¥15.5262
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Verical
FQB47P06TM_AM002Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V P-Channel QFET800+:¥8.6901
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立创商城
FQB47P06TM-AM002ON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):47A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 23.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.75W 类型:P沟道1+:¥17.46
10+:¥17
30+:¥16.69
100+:¥16.39