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FQB33N10TM /MOSFET 100V N-Channel QFET
FQB33N10TM的规格信息
FQB33N10TM的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:33 A

Rds On-漏源导通电阻:52 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3.75 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:FQB33N10

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:22 S

下降时间:110 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:195 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:80 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:1.312 g

供应商FQB33N10TM
FQB33N10TM的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城（深圳）科技有限公司FQB33N10TMwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FQB33N10TM深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司FQB33N10TM深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司FQB33N10TM航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城FQB33N10TM深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQB33N10TM深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司FQB33N10TM世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城FQB33N10TM深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司FQB33N10TM龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司FQB33N10TM深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司FQB33N10TM深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQB33N10TM深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳诚思涵科技有限公司FQB33N10TM深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司FQB33N10TM深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司FQB33N10TM深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市博浩通科技有限公司FQB33N10TM华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司FQB33N10TM深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司FQB33N10TM深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司FQB33N10TM深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司FQB33N10TM深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
FQB33N10TM及相关型号的PDF资料
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FQB33N10TMMOSFET 100V N-Channel QFETON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO1.27 Mbytes共11页FQB33N10TM的PDF下载地址无
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FQB33N10TM的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FQB33N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET800+:￥4.38
1600+:￥3.95
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500+:￥4.43
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2400+:￥3.08800+:￥2.9800+:￥3.641+:￥3.74
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FQB33N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET800+:￥4.38
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5600+:￥3.51
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80000+:￥3.16011+:￥7.36
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2400+:￥3.08800+:￥2.9
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQB33N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET800+:￥4.38
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQB33N10TMON SemiconductorMOSFET N-CH 100V 33A D2PAK$1.55000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		FQB33N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET800+:￥4.38
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		FQB33N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET800+:￥4.38
1600+:￥3.95
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80000+:￥3.16011+:￥7.36
10+:￥5.6701
100+:￥4.51
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FQB33N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET800+:￥4.38
1600+:￥3.95
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80000+:￥3.16011+:￥7.36
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100+:￥4.51
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24800+:￥3.38
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FQB33N10TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel QFET1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.0738
500:¥6.2489
800:¥4.9381
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		FQB33N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET800+:￥4.38
1600+:￥3.95
2400+:￥3.6899
5600+:￥3.51
20000+:￥3.37
40000+:￥3.27
80000+:￥3.16011+:￥7.36
10+:￥5.6701
100+:￥4.51
500+:￥4.12
800+:￥3.9
2400+:￥3.58
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24800+:￥3.38
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10+:￥6.1
100+:￥4.8599
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800+:￥3.38
2400+:￥3.08800+:￥2.9800+:￥3.641+:￥3.741+:￥3.111+:￥4.82
25+:￥4.78
50+:￥4.73
100+:￥4.6899
300+:￥4.61
500+:￥4.56
1000+:￥4.5199
5000+:￥4.5001
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FQB33N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET800+:￥4.38
1600+:￥3.95
2400+:￥3.6899
5600+:￥3.51
20000+:￥3.37
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100+:￥4.51
500+:￥4.12
800+:￥3.9
2400+:￥3.58
9600+:￥3.49
24800+:￥3.38
49600+:￥3.311+:￥7.92
10+:￥6.1
100+:￥4.8599
500+:￥4.43
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立创商城		FQB33N10TMON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：52mΩ @ 16.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：127W(Tc) 类型：N沟道1+:￥3.59
10+:￥3.49
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