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FQB34N20TM-AM002 /MOSFET 200V N-Channel QFET
FQB34N20TM-AM002的规格信息
FQB34N20TM-AM002的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:31 A

Rds On-漏源导通电阻:57 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.13 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:FQB34N20

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:115 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:280 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:125 ns

典型接通延迟时间:40 ns

零件号别名:FQB34N20TM_AM002

单位重量:1.312 g

供应商FQB34N20TM-AM002
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