系列：汽车级， AEC-Q101， QFET®
FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：33.5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：110nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2910pF @ 25V
Vgs（最大值）：±25V
功率耗散（最大值）：3.75W（Ta），155W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：60 毫欧 @ 16.75A，10V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装形式Package：D2PAK
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：100V
连续漏极电流ID：33.5A
无铅情况/RoHs：否