FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：330V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：25A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：75nC @ 15V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2010pF @ 25V

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），250W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：230 毫欧 @ 12.5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D²PAK（TO-263AB）

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：15V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：25V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs