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FQB22P10TM_F085 /P-Channel 100 V 0.125 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3
FQB22P10TM_F085的规格信息
FQB22P10TM_F085的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

系列:汽车级, AEC-Q101, QFET®

FET类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):22A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):50nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1500pF @ 25V

Vgs(最大值):±30V

功率耗散(最大值):3.75W(Ta),125W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):125 毫欧 @ 11A,10V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

封装形式Package:D2PAK

极性Polarity:P-CH

漏源极击穿电压VDSS:100V

连续漏极电流ID:22A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商FQB22P10TM_F085
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深圳市安富世纪电子有限公司FQB22P10TM_F085深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FQB22P10TM_F085深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司FQB22P10TM_F085航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城FQB22P10TM-F085深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
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李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQB22P10TM-F085深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83289799
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深圳诚思涵科技有限公司FQB22P10TM_F085深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司FQB22P10TM_F085深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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深圳市辰芯伟业科技有限公司FQB22P10TM_F085华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市斌腾达科技有限公司FQB22P10TM-F085深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市微碧半导体有限公司FQB22P10TM_F085-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市河锋鑫科技有限公司FQB22P10TM-F085华强北都会轩26010755-23903154
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