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FQB22P10TM_F085 /P-Channel 100 V 0.125 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3
FQB22P10TM_F085的规格信息
FQB22P10TM_F085的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

系列:汽车级, AEC-Q101, QFET®

FET类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):22A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):50nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1500pF @ 25V

Vgs(最大值):±30V

功率耗散(最大值):3.75W(Ta),125W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):125 毫欧 @ 11A,10V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

封装形式Package:D2PAK

极性Polarity:P-CH

漏源极击穿电压VDSS:100V

连续漏极电流ID:22A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商FQB22P10TM_F085
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深圳市坤融电子有限公司FQB22P10TM_F085航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FQB22P10TM_F085深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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集好芯城FQB22P10TM-F085深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
13310061703
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深圳市辉华拓展电子有限公司FQB22P10TM-F085深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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深圳市辉华拓展电子有限公司FQB22P10TM-F085深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市仓实科技有限公司FQB22P10TM_F085深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司FQB22P10TM_F085深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市芯泽盛世科技有限公司FQB22P10TM_F085龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FQB22P10TM_F085深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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FQB22P10TM_F085Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-Chan, -100V, -22A 0.125HM@VGS=-10V1+:¥15.49
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Digi-Key 得捷电子
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