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FQB27N25TM_F085 / MOSFET 250V, 0.11OHM, 25.5A, N-CH MOSFET
FQB27N25TM_F085的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:25.5 A

Vds-漏源极击穿电压:250 V

Rds On-漏源导通电阻:108 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :30 V

Vgs th-栅源极阈值电压:4.1 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:417 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

封装:Reel

商标:Fairchild Semiconductor

配置:Single

下降时间:60 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:122 ns

典型关闭延迟时间:81 ns

典型接通延迟时间:36 ns

单位重量:1.312 g

供应商FQB27N25TM_F085
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FQB27N25TM_F085Fairchild Semiconductor CorporationTAPE REEL / N-Channel MOSFET 250V, 25.5A, 131mO9,600 : $1.45