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FDMT80040DC /MOSFET FET 40V 0.56 MOHMS PQFN88
FDMT80040DC的规格信息
FDMT80040DC的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DualCool-88-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:420 A

Rds On-漏源导通电阻:440 uOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:241 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:156 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.8 mm

长度:3.3 mm

系列:FDMT80040DC

晶体管类型:N-channel

宽度:3.3 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:43 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:62 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:101 ns

典型接通延迟时间:63 ns

单位重量:248.521 mg

供应商FDMT80040DC
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