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FDMT800120DC /MOSFET 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
FDMT800120DC的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DualCool-88-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:120 V

Id-连续漏极电流:129 A

Rds On-漏源导通电阻:4.14 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:76 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:156 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.8 mm

长度:3.3 mm

系列:FDMT800120DC

晶体管类型:1 N-channel

宽度:3.3 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:69 S

下降时间:19 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:29 ns

单位重量:248.520 mg

供应商FDMT800120DC
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FDMT800120DCON Semiconductor / FairchildMOSFET 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
3,000:¥24.973
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FDMT800120DCON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):128A 漏源电压(Vdss):120V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):156W 类型:N沟道1+:¥47.26
10+:¥45.99
30+:¥45.14
100+:¥44.29