产品种类MOSFET

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压20 V

闸/源击穿电压+/- 12 V

漏极连续电流7.2 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）0.026 Ohms

配置Dual Dual Source

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体MLP-6

封装Reel

下降时间13 ns

最小工作温度- 55 C

功率耗散2.2 W

上升时间10 ns

工厂包装数量3000

典型关闭延迟时间16 ns