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FDMT800100DC /MOSFET FET 100V 2.95 MOHM PQFN88
FDMT800100DC的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DualCool-88-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:162 A

Rds On-漏源导通电阻:5.39 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:79 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:156 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.8 mm

长度:3.3 mm

系列:FDMT800100DC

晶体管类型:1 N-channel

宽度:3.3 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:66 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:29 ns

单位重量:248.520 mg

供应商FDMT800100DC
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