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EPC2212 /AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM
EPC2212的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列eGaN®

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss)100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)18A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)13.5 毫欧 @ 11A,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 3mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)4nC @ 5V

Vgs(最大值)+6V,-4V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)407pF @ 50V

FET 功能-

功率耗散(最大值)-

工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装模具

封装/外壳模具

供应商EPC2212
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