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DMN2016UTS-13 /MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
DMN2016UTS-13的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSSOP-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:8.58 A

Rds On-漏源导通电阻:16.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:880 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

产品:MOSFET Small Signal

系列:DMN2016

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:16.27 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11.66 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:59.38 ns

典型接通延迟时间:10.39 ns

单位重量:158 mg

供应商DMN2016UTS-13
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深圳市拓亿芯电子有限公司DMN2016UTS-13深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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DMN2016UTS-13Dual N-Channel Enhancement MOSFET TSSOP8Diodes IncDiodes Inc的LOGO168.94 Kbytes共6页DMN2016UTS-13的PDF下载地址
DMN2016UTS-13的全球分销商及价格
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Allied Electronics
DMN2016UTS-13Diodes IncDual N-Channel Enhancement MOSFET TSSOP8+100:$0.37
+200:$0.36
+500:$0.35
+1000:$0.34
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Arrow(艾睿)
DMN2016UTS-13DIODES ZETEX2500+:¥1.47
5000+:¥1.37
12500+:¥1.28
25000+:¥1.21
62500+:¥1.1799
125000+:¥1.131+:¥3.65
10+:¥2.72
100+:¥1.71
1000+:¥1.51
2500+:¥1.4
10000+:¥1.29
25000+:¥1.25
50000+:¥1.23
100000+:¥1.192500+:¥0.99011+:¥1.41
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Digi-Key 得捷电子
DMN2016UTS-13Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS2500+:¥1.47
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Future(富昌)
DMN2016UTS-13Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS2500+:¥1.47
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Mouser 贸泽电子
DMN2016UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
2,500:¥1.4577
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
DMN2016UTS-13Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS2500+:¥1.47
5000+:¥1.37
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62500+:¥1.1799
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25000+:¥1.25
50000+:¥1.23
100000+:¥1.19
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立创商城
DMN2016UTS-13DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.58A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:14.5mΩ @ 9.4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):880mW 类型:双N沟道1+:¥1.4065
10+:¥1.0526
30+:¥0.9875
100+:¥0.9225
500+:¥0.8936
1000+:¥0.8794