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DMN2016LHAB-7 /Diodes Incorporated/分立半导体产品
DMN2016LHAB-7的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

RoHS指令信息：RoHS Cert of Compliance

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.5A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：15.5 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：16nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1550pF @ 10V

功率 - 最大值：1.2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：*

其它名称：DMN2016LHAB-7DITR

供应商DMN2016LHAB-7
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深圳市凌特半导体科技有限公司DMN2016LHAB-7广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市拓亿芯电子有限公司DMN2016LHAB-7深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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DMN2016LHAB-7的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		DMN2016LHAB-7DIODES ZETEX1+:￥4.87
10+:￥4.12
25+:￥3.61
100+:￥3.09
250+:￥2.68
500+:￥2.27
1000+:￥1.751+:￥3.88
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3000+:￥1.4801
9000+:￥1.36
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Digi-Key 得捷电子		DMN2016LHAB-7Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品1+:￥4.87
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Digi-Key 得捷电子		DMN2016LHAB-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN$0.66000
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Mouser 贸泽电子		DMN2016LHAB-7Diodes IncorporatedMOSFET DUAL N-CH MOSFET 20V1:¥4.5313
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100:¥2.3278
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Mouser 贸泽电子		DMN2016LHAB-7Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品1+:￥4.87
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立创商城		DMN2016LHAB-7DIODES(美台)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：15.5mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：双N沟道1+:￥0.9685
10+:￥0.7298
30+:￥0.6859
100+:￥0.6421
500+:￥0.6226
1000+:￥0.613
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