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DMN2014LHAB-7 /MOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF
DMN2014LHAB-7的规格信息
DMN2014LHAB-7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:U-DFN2030-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:9 A

Rds On-漏源导通电阻:13 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:710 mV

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:16 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.7 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:D014LHAB

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15.5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40.9 ns

典型接通延迟时间:6.9 ns

供应商DMN2014LHAB-7
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深圳市辉华拓展电子有限公司DMN2014LHAB-7深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市宇浩扬科技有限公司DMN2014LHAB-7深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司DMN2014LHAB-7深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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DMN2014LHAB-7DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO273.36 Kbytes共6页DMN2014LHAB-7的PDF下载地址
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DMN2014LHAB-7Diodes IncMOSFET Dual N-Channel 20V 9A U-DFN2030-6+250:$0.45
+500:$0.36
+1250:$0.32
+2500:$0.29
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Arrow(艾睿)
DMN2014LHAB-7DIODES ZETEX3000+:¥1.11
6000+:¥1.04
15000+:¥0.97
30000+:¥0.92
75000+:¥0.9
150000+:¥0.861+:¥2.78
10+:¥2.06
100+:¥1.3
1000+:¥1.14
3000+:¥1.06
9000+:¥0.97
24000+:¥0.95
45000+:¥0.93
99000+:¥0.93000+:¥
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DMN2014LHAB-7Diodes Incorporated3,000 : $0.1328
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Digi-Key 得捷电子
DMN2014LHAB-7Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:¥1.11
6000+:¥1.04
15000+:¥0.97
30000+:¥0.92
75000+:¥0.9
150000+:¥0.86
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Digi-Key 得捷电子
DMN2014LHAB-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN10 : $0.382
1 : $0.45
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Future(富昌)
DMN2014LHAB-7Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:¥1.11
6000+:¥1.04
15000+:¥0.97
30000+:¥0.92
75000+:¥0.9
150000+:¥0.861+:¥2.78
10+:¥2.06
100+:¥1.3
1000+:¥1.14
3000+:¥1.06
9000+:¥0.97
24000+:¥0.95
45000+:¥0.93
99000+:¥0.93000+:¥0.75
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Mouser 贸泽电子
DMN2014LHAB-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF1:¥3.6838
10:¥3.1188
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
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Mouser 贸泽电子
DMN2014LHAB-7Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:¥1.11
6000+:¥1.04
15000+:¥0.97
30000+:¥0.92
75000+:¥0.9
150000+:¥0.861+:¥2.78
10+:¥2.06
100+:¥1.3
1000+:¥1.14
3000+:¥1.06
9000+:¥0.97
24000+:¥0.95
45000+:¥0.93
99000+:¥0.9
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Verical
DMN2014LHAB-7Zetex / Diodes IncDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET$0.1284
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立创商城
DMN2014LHAB-7DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):800mW 类型:双N沟道1+:¥1.6474
10+:¥1.2414
30+:¥1.1668
100+:¥1.0922
500+:¥1.059
1000+:¥1.0427