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CSD17577Q3AT /MOSFET 30V NCH NexFET MOSFET
CSD17577Q3AT的规格信息
CSD17577Q3AT的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSONP-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:35 A

Rds On-漏源导通电阻:5.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:27 nC

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

Pd-功率耗散:53 W

配置:Single

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.9 mm

长度:3.15 mm

系列:CSD17577Q3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3 mm

商标:Texas Instruments

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:31 ns

工厂包装数量:250

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:4 ns

单位重量:27.700 mg

供应商CSD17577Q3AT
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集好芯城CSD17577Q3AT深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市芯幂科技有限公司CSD17577Q3AT深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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集好芯城CSD17577Q3AT深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市高捷半导体有限公司CSD17577Q3AT深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市雄创芯业电子科技有限公司CSD17577Q3AT深圳市龙岗区吉星花园7栋30613631670223徐小姐Email:13631670223@139.com询价
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CSD17577Q3ATN-Channel NexFET Power MOSFET TI1[Texas Instruments]TI1[Texas Instruments]的LOGO388.37 Kbytes共13页CSD17577Q3AT的PDF下载地址无
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Arrow(艾睿)		CSD17577Q3ATTexas Instruments250+:￥4.06
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1000+:￥2.371+:￥5.39
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