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CSD16325Q5 /MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD16325Q5的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSON-Clip-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:2.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:18 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Single

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:6 mm

系列:CSD16325Q5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5 mm

商标:Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:159 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:32 ns

典型接通延迟时间:10.5 ns

单位重量:118 mg

供应商CSD16325Q5
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深圳市威雅利发展有限公司CSD16325Q5华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司CSD16325Q5深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)
Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市佳威星科技有限公司CSD16325Q5深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司CSD16325Q5深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司CSD16325Q5深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司CSD16325Q5深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳市辉华拓展电子有限公司CSD16325Q5深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司CSD16325Q5上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市赛美科科技有限公司CSD16325Q5广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司CSD16325Q5深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市雄创芯业电子科技有限公司CSD16325Q5深圳市龙岗区吉星花园7栋30613631670223徐小姐Email:13631670223@139.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司CSD16325Q5广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司CSD16325Q5深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
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CSD16325Q5N-Channel NexFET Power MOSFETs TI[Texas Instruments]TI[Texas Instruments]的LOGO242.38 Kbytes共10页CSD16325Q5的PDF下载地址
CSD16325Q5_10The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications. TI1[Texas Instruments]TI1[Texas Instruments]的LOGO445.15 Kbytes共12页CSD16325Q5_10的PDF下载地址
CSD16325Q5CDualCool™ N-Channel NexFET™ Power MOSFETs TI[Texas Instruments]TI[Texas Instruments]的LOGO212.14 Kbytes共10页CSD16325Q5C的PDF下载地址
CSD16325Q5的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
CSD16325Q5Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET1+:¥15.7
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Arrow(艾睿)
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ChipOneStop
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
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element14 e络盟电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
CSD16325Q5CTexas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET1+:¥17.82
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Rochester
CSD16325Q5Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET1+:¥15.7
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Rochester
CSD16325Q5CTexas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET1+:¥17.82
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Verical
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Verical
CSD16325Q5CTexas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET1+:¥17.82
10+:¥16.06
25+:¥13.95
50+:¥13.08
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50+:¥14.68
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250+:¥10.21
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立创商城
CSD16325Q5TI(德州仪器)连续漏极电流(Id)(25°C 时):33A 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:2mΩ @ 30A,8V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道1+:¥16.61
10+:¥14.43
30+:¥14.03
100+:¥13.63
500+:¥13.46
1000+:¥13.24