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CSD16323Q3 /MOSFET N-Ch NexFET Pwr MOSFET
CSD16323Q3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSON-Clip-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:4.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:6.2 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:74 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:3.3 mm

系列:CSD16323Q3

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

宽度:3.3 mm

商标:Texas Instruments

下降时间:6.3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:5.3 ns

单位重量:43.700 mg

供应商CSD16323Q3
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深圳市威雅利发展有限公司CSD16323Q3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司CSD16323Q3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市佳威星科技有限公司CSD16323Q3深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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芯莱德电子（香港）有限公司CSD16323Q3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市骏创达科技有限公司CSD16323Q3深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD 1期A座20楼20020755-23917105，0755-23964265
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深圳市星宇佳科技有限公司CSD16323Q3 其他被动元件深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市仓实科技有限公司CSD16323Q3深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司CSD16323Q3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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CSD16323Q3N-Channel 30 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1775.64 Kbytes共8页CSD16323Q3的PDF下载地址无
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CSD16323Q3的全球分销商及价格
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